摘要：本文闡述電子水泵主要用于降油耗。目前行業(yè)內(nèi)電子水泵功率主要分布在400~600W范圍，而國內(nèi)電子水泵發(fā)展要落后于國外，而且在開發(fā)過程中失效情況較多。目前電子水泵的失效主要集中在電子水泵控制器上電子元件失效，其中MOSFET失效占主要部分。通過對實際應(yīng)用過程中MOSFET失效案例進行分析，提出解決的方案。

關(guān)鍵詞：電子水泵；失效；MOSFET

隨著國家排放法規(guī)越來越嚴(yán)格以及降油耗要求，車企越來越多地向混動或純電動汽車發(fā)展。而對于傳統(tǒng)燃油汽車，主機廠越來越多地應(yīng)用先進技術(shù)以減少排放和減低油耗。電子水泵逐漸被各主機廠廣泛應(yīng)用，其作為發(fā)動機及整車熱管理的重要組成部分，發(fā)揮了重要作用。

1 電子水泵作用

水泵作為發(fā)動機冷卻系統(tǒng)的重要零部件，為冷卻系統(tǒng)各零部件輸送冷卻液，將發(fā)動機以及各發(fā)熱零件的熱量散出，防止發(fā)動機各零部件過熱失效。而電子水泵通過ECM控制，可以根據(jù)需求提供冷卻液，在冷機時不運轉(zhuǎn)或低速運轉(zhuǎn)實現(xiàn)快速熱機，在發(fā)動機大負(fù)荷時可以高速運轉(zhuǎn)維持發(fā)動機在最優(yōu)溫度范圍內(nèi)工作，以達(dá)到快速暖機、降低油耗的作用。

2 電子水泵發(fā)展情況

目前，國產(chǎn)汽車品牌中使用電子水泵并且已經(jīng)達(dá)到量產(chǎn)的并不多。市場上已量產(chǎn)的大功率電子水泵廠家大多是外資企業(yè)研發(fā)，主要是因為外資或合資汽車品牌在電子水泵的應(yīng)用上領(lǐng)先于國內(nèi)；另外也受制于國內(nèi)電子水泵行業(yè)發(fā)展比較緩慢，許多工藝及關(guān)鍵技術(shù)還不成熟。但是近年來，受到國家排放和油耗法規(guī)越來越嚴(yán)格的影響，國內(nèi)電子水泵行業(yè)發(fā)展迅速，許多傳統(tǒng)機械水泵的企業(yè)開始研發(fā)電子水泵。

對傳統(tǒng)燃油發(fā)動機來說，在12V電系統(tǒng)下，電子水泵要達(dá)到機械水泵的功率比較困難，因為電流會很大，對控制器設(shè)計是一個很大的考驗。電子水泵功率等級受發(fā)動機設(shè)計的影響，目前主流的電子水泵功率為400~450W，部分會達(dá)到600W，主要用于增壓發(fā)動機；而日系的自然吸氣發(fā)動機，例如本田、豐田等，使用的電子水泵功率為160~200W。

雖然近年來，國內(nèi)電子水泵行業(yè)發(fā)展迅速，通過開發(fā)小功率電子水泵積累了一定的經(jīng)驗，但是對于大功率電子水泵，因為應(yīng)用環(huán)境更復(fù)雜和苛刻、控制邏輯更復(fù)雜，且受技術(shù)和經(jīng)驗的缺乏限制，開發(fā)過程中失效情況較多。其中，MOSFET失效是較多且嚴(yán)重的一種失效。

本文針對發(fā)動機電子水泵開發(fā)過程中出現(xiàn)的失效案例，對失效機理進行分析，并提供相應(yīng)的整改措施。

3 電子水泵MOSFET失效模式

MOSFET是電子水泵控制器集成電路上的重要元件。MOSFET的開關(guān)控制電機三相的導(dǎo)通和關(guān)斷，通過調(diào)節(jié)占空比，即可調(diào)節(jié)水泵轉(zhuǎn)速。當(dāng)MOSFET失效后，電機會出現(xiàn)缺相而導(dǎo)致轉(zhuǎn)速不穩(wěn)，甚至直接導(dǎo)致電機不工作，發(fā)動機失去冷卻而損壞。從宏觀上分析，電子水泵失效主要有以下失效模式。

3.1 散熱不良導(dǎo)致失效

MOSFET工作時會產(chǎn)生大量的熱量，如果散熱不及時，溫度超過MOSFET的結(jié)溫，則MOSFET將會被燒毀。PCB板上按照電路的設(shè)計集成各種電子元器件（包括MOSFET）構(gòu)成了控制器，因此對MOSFET散熱即對控制器散熱。通過研究目前主流電子水泵散熱方式，有以下3種。

1）在鋁殼體和控制器之間涂散熱硅膠或貼散熱硅膠墊。

2）使用陶瓷電路板。

3）在鋁殼體和控制器之間用增加除散熱硅膠以外的高導(dǎo)熱材料，例如陶瓷板。

涂散熱硅膠或貼散熱硅膠墊因成本低、工藝簡單是最常用的設(shè)計，在散熱滿足的前提下，優(yōu)先選用此方法。但是如果工藝或者膠品選擇不當(dāng)，仍然會導(dǎo)致控制器過熱失效。某電子水泵在開發(fā)過程中，由于工藝不合理，散熱膠出現(xiàn)空化現(xiàn)象（圖1），導(dǎo)致MOFET過熱失效。

圖1 散熱膠空化現(xiàn)象

陶瓷電路板是目前比較先進的一種電路集成方式，但是由于成本高、國內(nèi)技術(shù)成熟度低，并未廣泛應(yīng)用。陶瓷的導(dǎo)熱系數(shù)高，將電路集成在陶瓷基板上，能有效提高控制器散熱能力，防止MOSFET過熱失效。在控制器和殼體之間增加除散熱硅膠以外的高導(dǎo)熱材料是介于1）和2）之間的一種散熱方案。

3.2 靜電導(dǎo)致失效

MOSFET為靜電敏感元件，如果操作不當(dāng)，靜電會導(dǎo)致MOS－FET直接被擊穿而失效，如圖2所示，8kV靜電放電后，MOSFET晶圓出現(xiàn)裂紋，MOSFET失效。有些情況下，靜電并不會導(dǎo)致MOSFET立即失效，但是元件內(nèi)部已經(jīng)出現(xiàn)一些隱患，MOSFET的性能劣化或下降，工作一段時間后最終失效。由于這種情況無法立即識別出失效，因此危害更大。

圖2 8kV靜電放電后MOSFET晶圓出現(xiàn)裂紋

針對靜電失效，最主要的是在控制器生產(chǎn)及物流、裝配的整個過程中進行靜電防護。

3.3 粘接層空洞導(dǎo)致失效

芯片粘接層空洞將增大器件的熱阻，影響散熱的效果。已有研究表明，MOSFET焊料空洞對器件的熱耗散有顯著影響，并分析了不同空洞尺寸對器件散熱的影響。

某電子水泵在開發(fā)過程中出現(xiàn)MOSFET失效問題，排查發(fā)現(xiàn)失效MOSFET粘接層空洞達(dá)到約30%，如圖3所示。而正常的MOSFET空洞率很小，如圖4所示。有資料表明，30%粘接層空洞的熱阻比無空洞時的熱阻高約4倍，產(chǎn)生約25%的結(jié)溫溫升，對器件的可靠性有重大影響。對于半導(dǎo)體器件，結(jié)溫每升高10℃，壽命降低一半。

圖3 空洞大MOSFET

圖4 正常MOSFET空洞情況

3.4 MOSFET選型及電路設(shè)計不合理導(dǎo)致失效

MOSFET選型是電路設(shè)計中的一個重要工作。如果選型不當(dāng)，MOSFET使用過程中也會產(chǎn)生故障。MOSFET作為開關(guān)功率器件，其本身具有開關(guān)的閾值。當(dāng)MOSFET開通閾值過低，由于控制電路中開關(guān)過程中的振蕩，導(dǎo)致MOSFET出現(xiàn)誤開通，使上下橋臂直通。而由于MOSFET開通電阻很小，達(dá)到毫歐級別，因此很小的電壓將會導(dǎo)致較大的電流通過MOSFET，產(chǎn)生過流故障或者直接過流損壞。、

4 結(jié)語

1）電子水泵作用是為了降油耗。

2）目前國內(nèi)電子水泵發(fā)展滯后于國外，但是發(fā)展迅速。

3）國內(nèi)電子水泵失效主要集中在控制器上的MOSFET。

4）從宏觀上來看，MOSFET失效原因有散熱不良導(dǎo)致失效、靜電導(dǎo)致失效、粘接層空洞大導(dǎo)致失效以及MOSFET選型和電路設(shè)計不合理導(dǎo)致失效。

作者：張 松， 于 萍， 席洪亮， 云 非， 尹建東， 王瑞平

作者單位：寧波吉利羅佑發(fā)動機零部件有限公司

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