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從”三體”到“存算一體芯片測(cè)試方案”

2023-03-17 14:31:38·  來(lái)源:上海眾執(zhí)芯信息科技有限公司  
 
引言看過(guò)《三體》的朋友們,一定對(duì)震撼的人列計(jì)算機(jī)有所印象:馮 · 諾依曼讓秦始皇安排三千萬(wàn)個(gè)士兵組成的人列計(jì)算器,通過(guò)士兵舉黑白旗顯現(xiàn)的信號(hào)代替了二進(jìn)制進(jìn)行運(yùn)算;通過(guò)騎馬的輕轉(zhuǎn)兵在整個(gè)系統(tǒng)間傳遞信息代替了總線進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸;并利用三百萬(wàn)名文化程

引言

看過(guò)《三體》的朋友們,一定對(duì)震撼的人列計(jì)算機(jī)有所印象:馮 · 諾依曼讓秦始皇安排三千萬(wàn)個(gè)士兵組成的人列計(jì)算器,通過(guò)士兵舉黑白旗顯現(xiàn)的信號(hào)代替了二進(jìn)制進(jìn)行運(yùn)算;通過(guò)騎馬的輕轉(zhuǎn)兵在整個(gè)系統(tǒng)間傳遞信息代替了總線進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸;并利用三百萬(wàn)名文化程度較高的學(xué)者每個(gè)人手中的記錄本和筆,負(fù)責(zé)記錄運(yùn)算結(jié)果代替了存儲(chǔ)器。這就形成了控制器和運(yùn)算單元、總線以及存儲(chǔ)器的概念。


不知道讀者在閱讀這一段的時(shí)候是否有一個(gè)疑問(wèn),為什么不能有一個(gè)聰明的士兵既能做運(yùn)算又能記錄運(yùn)算結(jié)果,實(shí)現(xiàn)“存算一體化”, 從而降低包括數(shù)據(jù)搬移在內(nèi)所帶來(lái)的巨大開(kāi)銷(xiāo)?


應(yīng)用背景

正像三體中描述的人列計(jì)算機(jī),目前大多數(shù)芯片系統(tǒng)采用的是馮·諾依曼架構(gòu),處理器和存儲(chǔ)器由總線連接,數(shù)據(jù)需在二者之間來(lái)回搬運(yùn)。但隨著大數(shù)據(jù)和人工智能時(shí)代的到來(lái),傳統(tǒng)的計(jì)算存儲(chǔ)分離的硬件架構(gòu)不得不面對(duì)馮·諾伊曼瓶頸。數(shù)據(jù)搬移帶來(lái)的能耗開(kāi)銷(xiāo)使得存算分離的傳統(tǒng)架構(gòu)難以滿足低功耗的系統(tǒng)設(shè)計(jì)需求。在一些神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)硬件加速器中,核心的數(shù)據(jù)處理消耗的能量只有不到10%,除此之外與數(shù)據(jù)傳輸相關(guān)的能耗才是制約整個(gè)系統(tǒng)能效的關(guān)鍵問(wèn)題。

如圖1所示,為了打破馮·諾依曼瓶頸的束縛,存算一體的計(jì)算架構(gòu)開(kāi)始興起,逐漸從近存儲(chǔ)的計(jì)算范式到以存儲(chǔ)為中心的計(jì)算范式演進(jìn)。近年來(lái),半導(dǎo)體制造工藝的發(fā)展和人工智能領(lǐng)域的崛起,為存算一體技術(shù)提供了全新的制造平臺(tái)和產(chǎn)業(yè)驅(qū)動(dòng)力。除了在人工智能及深度學(xué)習(xí)領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,存算一體架構(gòu)同樣適用于未來(lái)主流的感存算一體芯片和類(lèi)腦芯片。

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圖1 馮·諾依曼架構(gòu)和存算一體架構(gòu)示意圖


存算一體芯片旨在把傳統(tǒng)以計(jì)算為中心的架構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)橐詳?shù)據(jù)為中心的架構(gòu),直接利用存儲(chǔ)器進(jìn)行數(shù)據(jù)處理。近年來(lái)非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的發(fā)展,為存算一體芯片的高效實(shí)施帶來(lái)了新的曙光。我國(guó)在這方面的研究也取得了一系列的創(chuàng)新成果,例如2016年北京大學(xué)康晉峰教授團(tuán)隊(duì)提出以阻變器件替代傳統(tǒng)的CMOS器件來(lái)實(shí)現(xiàn)邏輯計(jì)算。構(gòu)建了基于觸發(fā)電平時(shí)序的邏輯計(jì)算類(lèi)型,得到可以實(shí)時(shí)邏輯重構(gòu)的計(jì)算、存儲(chǔ)一體化并行處理硬件架構(gòu)。2021年,中國(guó)科學(xué)院微電子研究所的劉明團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)了超薄鐵電隧道結(jié)進(jìn)行時(shí)間數(shù)據(jù)學(xué)習(xí)的節(jié)能而穩(wěn)健的儲(chǔ)層計(jì)算系統(tǒng),該系統(tǒng)以高的能效、處理速度 和識(shí)別精度完成數(shù)字序列分類(lèi)。2021年復(fù)旦大學(xué)周鵬團(tuán)隊(duì)研究出二維鐵電溝道晶體管(2D FeCTs),該FeCTs兼具優(yōu)異的非易失存儲(chǔ)功能和神經(jīng)擬態(tài)能力。如圖2所示,該器件成功實(shí)現(xiàn)了對(duì)鳶尾花圖像的高精度分類(lèi)。2022年國(guó)防科技大學(xué)電子科學(xué)學(xué)院徐暉教授課題組與復(fù)旦大學(xué)芯片與系統(tǒng)前沿技術(shù)研究院劉琦教授課題組合作,首次實(shí)現(xiàn)了一種與CMOS工藝完全兼容的氧化鉿基反鐵電神經(jīng)元。該反鐵電晶體管能模擬生物神經(jīng)元積分發(fā)射特性,且由于其自發(fā)的去極化現(xiàn)象避免了大尺寸電容和復(fù)位電路的使用,有效提高了神經(jīng)形態(tài)計(jì)算芯片集成度。如圖3所示構(gòu)建的784×400×10雙層神經(jīng)網(wǎng)絡(luò),手寫(xiě)體識(shí)別率高達(dá)96.8%,對(duì)促進(jìn)新原理器件在圖像、語(yǔ)音等智能化處理場(chǎng)景的應(yīng)用具有重要意義。2022年,華東師范大學(xué)段純剛教授團(tuán)隊(duì)利用鐵電突觸晶體管神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)成功實(shí)現(xiàn)了聯(lián)想學(xué)習(xí),達(dá)到輸入了不完整的像素,也可以從硬件成功輸出完整像素的圖像識(shí)別功能。

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圖2 鳶尾花識(shí)別應(yīng)用演示

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圖3 雙層全鐵電SNN示意圖及基于FeFET突觸和AFeFET神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)的硬件


測(cè)試方案介紹

存算一體芯片旨在把傳統(tǒng)以計(jì)算為中心的架構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)橐詳?shù)據(jù)為中心的架構(gòu),直接利用存儲(chǔ)器進(jìn)行數(shù)據(jù)處理。存算一體芯片在當(dāng)代研究的最新神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)中扮演高速存儲(chǔ)計(jì)算單元,其主要技術(shù)路線有通過(guò)阻變,容變等方式實(shí)現(xiàn)。存算一體芯片在當(dāng)代研究的最新神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)中扮演高速存儲(chǔ)計(jì)算單元。在研發(fā)階段,目前很多機(jī)理的存算一體芯片都需要反復(fù)測(cè)試驗(yàn)證迭代,必須需要有一套合適的測(cè)試系統(tǒng)加速這一過(guò)程。在這個(gè)過(guò)程中,如何快速將單個(gè)單元的測(cè)量擴(kuò)展到陣列形式的測(cè)量,是實(shí)驗(yàn)室必須要解決的一個(gè)測(cè)量難題。

測(cè)試需求

? 單個(gè)單元的性能測(cè)試

? 可擴(kuò)展的多單元性能測(cè)試

? 存算一體陣列芯片的測(cè)試

? 模擬應(yīng)用的測(cè)試方法


陣列測(cè)試流程

1. 對(duì)陣列中的行列每個(gè)單元通過(guò)施加脈沖,進(jìn)行預(yù)設(shè)置,記錄I-V特性。

2. 預(yù)設(shè)置整體陣列后,再次對(duì)每個(gè)行列單元按序列施加脈沖,記錄充放電情況及極化反轉(zhuǎn)等特性。

3. 不同的序列脈沖施加,測(cè)試不同行列激勵(lì)下的不同反應(yīng)。

4. 測(cè)試過(guò)程中需要反復(fù)施加脈沖,并且同步測(cè)量I-V特性并需要友好方便的編程方式滿足不同的激勵(lì)測(cè)試需求


基于以上的測(cè)試需求和難點(diǎn),上海眾執(zhí)芯信息科技有限公司基于NI平臺(tái)推出存算一體化測(cè)試系統(tǒng)(ZoX MRAM Test System),可擴(kuò)展至1024*1024陣列規(guī)?;蚋笠?guī)模;提供高精度的I-V測(cè)試與不同的脈沖測(cè)試方案;并可根據(jù)客戶(hù)的器件特性,進(jìn)行方案定制及實(shí)現(xiàn)。


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圖4 NI測(cè)試平臺(tái)

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NI擁有豐富的SMU與Matrix產(chǎn)品,可以相互組合,應(yīng)對(duì)不同規(guī)模的存算一體陣列需求,結(jié)合PXIe的高性能同步與LabVIEW的快速開(kāi)發(fā)能力,配合ZOX針對(duì)存算一體芯片開(kāi)發(fā)的測(cè)試軟件,可支持客戶(hù)進(jìn)行存算一體相關(guān)課題的研究與驗(yàn)證。

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圖5 ZOX SMU pattern Editor

測(cè)試案例及測(cè)試結(jié)果

華東師范大學(xué)田博博教授團(tuán)隊(duì),采用PVDF鐵電電容器陣列,利用其鐵電動(dòng)力學(xué)來(lái)定義圖像變化,然后通過(guò)LabVIEW控制多通道電學(xué)測(cè)試設(shè)備收集電容器的極化反轉(zhuǎn)電流,經(jīng)數(shù)據(jù)處理從而實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)實(shí)時(shí)檢測(cè)。圖6為實(shí)驗(yàn)室測(cè)試搭建環(huán)境。

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圖6 為實(shí)驗(yàn)室測(cè)試搭建環(huán)境


如圖7a所示,將幅值為24V、脈寬為0.6S的正負(fù)脈沖序列分別記為白色和黑色圖像;將黑色圖像輸入到線陣中設(shè)為初始態(tài)后,然后再連續(xù)兩次輸入白色圖像,對(duì)比這兩次的電流值變化。結(jié)果發(fā)現(xiàn),白色圖像第一次輸入到線陣有極化翻轉(zhuǎn)(標(biāo)黃部分)和充放電特性,第二次只有充放電過(guò)程(稱(chēng)原始態(tài),記為I0),據(jù)此線陣可以識(shí)別出圖案由黑到白的變化。同理,將白色圖像輸入到線陣中設(shè)為初始態(tài)后,然后再連續(xù)兩次輸入黑色圖像也依然能被識(shí)別出來(lái)(圖7b)。

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圖7 陣列為1×7的鐵電電容器測(cè)試


分別為連續(xù)向陣列輸入兩次(a)白色和(b)黑色圖案并對(duì)比前后電流值的變化

最終完成對(duì)圖像的識(shí)別驗(yàn)證如下:

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(引用:①Nature子刊!國(guó)防科大在鐵電神經(jīng)形態(tài)計(jì)算領(lǐng)域取得新進(jìn)展

②北大信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院康晉鋒教授課題組在基于阻變器件的計(jì)算、存儲(chǔ)一體化計(jì)算機(jī)架構(gòu)研究中取得重要進(jìn)展 )


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