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ECU的車規(guī)級試驗(yàn)：DV試驗(yàn)（六：EMC標(biāo)準(zhǔn)及測試-1）
HSD芯片在開關(guān)時(shí)的電壓及電流波形（來源：左成鋼《廣義車規(guī)級》）
通過和繼電器的開關(guān)波形相對比就可以發(fā)現(xiàn)，HSD芯片在開關(guān)過程中，無論是電壓還是電流波形都是很純凈和平滑的，HSD芯片會(huì)通過控制內(nèi)部MOSFET門極電壓的斜率，進(jìn)而控制負(fù)載電壓及電流的上升沿和下降沿的斜率（Slew Rate），這樣便可以控制開關(guān)過程產(chǎn)生的電磁干擾，進(jìn)而降低對車輛其他電氣設(shè)備的電磁干擾。
另外，熔斷器在熔斷時(shí)，會(huì)在極短時(shí)間內(nèi)將故障電流切斷，但這個(gè)電流被切斷的過程并非是瞬間完成的。熔斷器在熔斷的瞬間實(shí)際上并沒有將電路完全切斷，而是會(huì)在熔斷的部分產(chǎn)生電弧，電弧再將空氣擊穿后電流將繼續(xù)流通；但電弧同時(shí)也會(huì)造成更長的熔絲被熔斷，也就是說熔絲熔斷的缺口將進(jìn)一步被拉大，最終由于電弧無法擊穿過長的空氣間隙，電弧會(huì)逐漸熄滅，熔斷器才真正的將電路切斷。這個(gè)過程中會(huì)伴隨著電流的反復(fù)切斷與恢復(fù)，類似于繼電器的觸點(diǎn)彈跳，所以熔斷器的熔斷過程在受到線束分布電容和分布電感的共同影響下，也會(huì)產(chǎn)生快速脈沖群，這些瞬態(tài)現(xiàn)象在產(chǎn)生傳導(dǎo)干擾的同時(shí)也會(huì)產(chǎn)生輻射干擾。
#05EMC標(biāo)準(zhǔn)簡介
車輛的電磁環(huán)境從傳輸路徑上可以分為兩類：傳導(dǎo)和輻射，所以在介紹電磁環(huán)境時(shí)，從輻射與傳導(dǎo)的角度介紹會(huì)較容易理解。但是從零部件本身和其他零部件關(guān)系的角度出發(fā)，就需要轉(zhuǎn)換一下視角，按照干擾/發(fā)射（騷擾）與被干擾的維度去進(jìn)行劃分。同理，EMC試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)也是從這個(gè)角度來進(jìn)行制定的。
汽車電子零部件產(chǎn)品相關(guān)的EMC試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)較環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)更多，標(biāo)準(zhǔn)也更復(fù)雜，更難理解，但大體可以分為兩大部分：干擾（騷擾）/發(fā)射和抗干擾，如下圖所示。
汽車電子零部件EMC試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)（來源：左成鋼《廣義車規(guī)級》）
1. 干擾（騷擾）/發(fā)射
干擾，也被稱為騷擾，相關(guān)的試驗(yàn)通常被稱為發(fā)射測試，相應(yīng)的試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)如下表所示。
干擾（騷擾）/發(fā)射相關(guān)試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)（來源：左成鋼《廣義車規(guī)級》）
GB/T 18655標(biāo)準(zhǔn)為推薦性國家標(biāo)準(zhǔn)，主要參考國際標(biāo)準(zhǔn)IEC CISPR 25，僅適用于零部件，同時(shí)涵蓋了傳導(dǎo)干擾/發(fā)射（Conducted Emission，CE）測試及輻射干擾/發(fā)射（Radiated Emission，RE）測試兩部分。
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