廣告
首頁 > 汽車行業(yè)資訊 > 正文
UAES與羅姆成立“SiC技術聯(lián)合實驗室”并舉行啟動儀式
2020-12-08 15:12:23· 來源：汽車測試網(wǎng)
中國汽車行業(yè)一級綜合性供應商——聯(lián)合汽車電子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，以下簡稱“UAES”）與全球知名半導體制造商羅姆（ROHM Co., Ltd.，以下簡稱“羅姆”）在中國上海的UAES總部成立了“SiC技術聯(lián)合實驗室”，并于2020年10月舉行了啟動儀式。
UAES副總經(jīng)理 郭曉潞（右）與羅姆半導體（上海）有限公司 董事長 藤村 雷太（左）在啟動儀式上互贈紀念品
與IGBT*1等Si（硅）功率元器件相比，SiC功率元器件具有“開關損耗和傳導損耗*2小”、“耐溫度變化能力強”等優(yōu)勢，因而作為一種能夠顯著降低損耗的半導體，在電動汽車以及基礎設施、環(huán)境/能源、工業(yè)設備領域的應用日益廣泛。
UAES和羅姆自2015年開始技術交流以來，雙方在采用SiC功率元器件的車載應用產(chǎn)品開發(fā)方面建立了合作伙伴關系。經(jīng)過多年的技術交流，采用了羅姆SiC功率元器件的UAES車載產(chǎn)品于今年成功投入量產(chǎn)。
此次成立的聯(lián)合實驗室配備了重要設備，包括能夠?qū)囕d充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器等車載應用產(chǎn)品進行整機評估的測試設備、以及能夠進行元器件評估的測試裝置等。
未來，雙方將會進一步加強合作關系，并加快以SiC為核心的創(chuàng)新型電源解決方案的開發(fā)。
UAES副總經(jīng)理 郭曉潞表示：“自2015年羅姆為UAES推介SiC功率元器件產(chǎn)品以來，雙方包括高層在內(nèi)的交流不斷加深。作為多年技術交流的成果，UAES開發(fā)出采用了SiC的車載應用并在今年成功實現(xiàn)量產(chǎn)，對此我們表示非常高興。該聯(lián)合實驗室的成立，表明兩家公司之間的合作關系進一步加深，我們期待通過完善的設備，得到更出色的技術支持。”
羅姆董事高級執(zhí)行官CSO兼功率元器件業(yè)務統(tǒng)括 伊野和英博士表示：“我們很高興能夠與車載應用領域的先進企業(yè)——UAES成立聯(lián)合實驗室。作為SiC功率元器件的先進廠商，羅姆正在推進行業(yè)先進的元器件開發(fā)，同時，通過與驅(qū)動IC等外圍元器件相結(jié)合的電源解決方案，獲得了傲人的實際應用業(yè)績。未來，在市場有望繼續(xù)擴大的車載領域，把握客戶需求和市場動向的研究將是非常重要的要素，因此，雙方將通過聯(lián)合實驗室加強合作關系，并憑借以SiC為核心的電源解決方案為汽車技術革新做出貢獻。”
＜術語解說＞
*1) IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體管）
同時具有MOSFET的高速開關特性和雙極晶體管的低傳導損耗特性的功率晶體管。
*2） 傳導損耗、開關損耗
因元器件結(jié)構的緣故，MOSFET和IGBT等晶體管在使用時會產(chǎn)生損耗。傳導損耗是電流流過元器件時（ON狀態(tài)時），受元器件的電阻分量影響而產(chǎn)生的損耗。開關損耗是切換元器件的通電狀態(tài)時（開關動作時）產(chǎn)生的損耗。
UAES副總經(jīng)理 郭曉潞（右）與羅姆半導體（上海）有限公司 董事長 藤村 雷太（左）在啟動儀式上互贈紀念品
與IGBT*1等Si（硅）功率元器件相比，SiC功率元器件具有“開關損耗和傳導損耗*2小”、“耐溫度變化能力強”等優(yōu)勢，因而作為一種能夠顯著降低損耗的半導體，在電動汽車以及基礎設施、環(huán)境/能源、工業(yè)設備領域的應用日益廣泛。
UAES和羅姆自2015年開始技術交流以來，雙方在采用SiC功率元器件的車載應用產(chǎn)品開發(fā)方面建立了合作伙伴關系。經(jīng)過多年的技術交流，采用了羅姆SiC功率元器件的UAES車載產(chǎn)品于今年成功投入量產(chǎn)。
此次成立的聯(lián)合實驗室配備了重要設備，包括能夠?qū)囕d充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器等車載應用產(chǎn)品進行整機評估的測試設備、以及能夠進行元器件評估的測試裝置等。
未來，雙方將會進一步加強合作關系，并加快以SiC為核心的創(chuàng)新型電源解決方案的開發(fā)。
UAES副總經(jīng)理 郭曉潞表示：“自2015年羅姆為UAES推介SiC功率元器件產(chǎn)品以來，雙方包括高層在內(nèi)的交流不斷加深。作為多年技術交流的成果，UAES開發(fā)出采用了SiC的車載應用并在今年成功實現(xiàn)量產(chǎn)，對此我們表示非常高興。該聯(lián)合實驗室的成立，表明兩家公司之間的合作關系進一步加深，我們期待通過完善的設備，得到更出色的技術支持。”
羅姆董事高級執(zhí)行官CSO兼功率元器件業(yè)務統(tǒng)括 伊野和英博士表示：“我們很高興能夠與車載應用領域的先進企業(yè)——UAES成立聯(lián)合實驗室。作為SiC功率元器件的先進廠商，羅姆正在推進行業(yè)先進的元器件開發(fā)，同時，通過與驅(qū)動IC等外圍元器件相結(jié)合的電源解決方案，獲得了傲人的實際應用業(yè)績。未來，在市場有望繼續(xù)擴大的車載領域，把握客戶需求和市場動向的研究將是非常重要的要素，因此，雙方將通過聯(lián)合實驗室加強合作關系，并憑借以SiC為核心的電源解決方案為汽車技術革新做出貢獻。”
＜術語解說＞
*1) IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體管）
同時具有MOSFET的高速開關特性和雙極晶體管的低傳導損耗特性的功率晶體管。
*2） 傳導損耗、開關損耗
因元器件結(jié)構的緣故，MOSFET和IGBT等晶體管在使用時會產(chǎn)生損耗。傳導損耗是電流流過元器件時（ON狀態(tài)時），受元器件的電阻分量影響而產(chǎn)生的損耗。開關損耗是切換元器件的通電狀態(tài)時（開關動作時）產(chǎn)生的損耗。
廣告 編輯推薦
最新資訊
-
“汽車爬坡試驗方法”將有國家標準
2026-03-03 12:44
-
十年耐久監(jiān)管時代：電池系統(tǒng)開發(fā)策略將如何
2026-03-03 12:44
-
聯(lián)合國法規(guī)R59對機動車備用消聲系統(tǒng)的工程
2026-03-03 12:08
-
聯(lián)合國法規(guī)R58對后下部防護裝置的工程化約
2026-03-03 12:07
-
聯(lián)合國法規(guī)R57對摩托車前照燈配光性能的工
2026-03-03 12:07
